新闻事件： 加拿大将向MEMS及三维封装研究项目投入1亿7800万美元 事件影响： 通过MEMS技术和晶圆级三维层叠封装技术，为硅元件带来创新 加拿大政府和加拿大魁北克省政府将向MEMS及三维层叠尖端封装领域的研究投入总额为1亿7800万美元的资金。目的是通过MEMS技术和晶圆级三维层叠封装技术，为硅元件带来创新。 两政府将向位于魁北克省布罗蒙特(Bromont)的希尔布鲁克大学(University de Sherbrooke)补助1亿780
SEMI World Fab Forecast预测，2010年全球晶圆厂支出将达到240亿美元。其中很大一部分(约140亿美元)将来自6家已制定激进资本预算的公司。 这六家公司分别是：TSMC, GlobalFoundries, Toshiba, Samsung, Intel和Inotera。2010年这六家公司的晶圆厂资本支出将超过全球总额的一半。2010年资本支出增长率预计为64%，看起来挺高，但2009年是历史低点。 SEMI资深分析师Christian Dieseldorff指出：
在2009年8月19日SEMI举行的硅谷午餐会上三位顶级工业分析师，分别是ICInsight的Bill McClean，Gartner的Dean Freeman及Techcet的John Housley，它们重申工业在下降周期的增长态势，并表示工业已触底反弹。并预测2010年全球半导体设备业将增长超过30%。 全球半导体业在众多合力作用下重塑形象 此次循环在09年Q1已触底，预计09年下半年的固定资产投资与上半年相比增加33%。McClean再次呼吁要依季度看工业，并说从以往的经验，在每次
韩国三星电子计画于今年10月底前不再使用8寸晶圆生产DRAM，将DRAM的生产全数转为使用12寸晶圆，以藉由使用产能效率较高的大尺寸晶圆来提高DRAM的成本竞争力。 报导指出，三星电子计画于10月底前停止在美国德州奥斯丁(Austin)半导体工厂内生产使用8寸晶圆的DRAM，加上三星电子已于今年初停止京畿道华城工厂的8寸晶圆DRAM生产，故待奥斯丁工厂停止生产后，三星电子的DRAM生产将全数转为使用12寸晶圆。 彭博社曾于日前转述韩国网路媒体“E-Daily”报导指
日、韩面板大厂将至中国设面板8代厂，面板双虎友达与奇美也急着西进设厂，不过，德意志证券最新出炉的报告则认为，国际面板大厂一窝蜂地赴大陆设厂，恐怕将会重蹈晶圆厂过度投资的覆辙，对友达和奇美维持卖出评等，目标价分别为33.75元新台币和16.35元新台币。 根据德意志证券科技产业分析师Matt Cleary指出，中国需要更加多法规来管理面板扩厂问题，以免产能过剩，面板投资者未顾虑时机，纷纷抢进大陆，拖累2010年的经济复苏。 不过，德意志证券也认为，由于Samsung、Sharp在中国大陆设置晶
为了加强欧洲半导体行业的竞争力，欧洲35家机构携手开展了联合研究项目“IMPROVE”(“采用制造科学解决方案提高设备生产率和晶圆厂业绩”)。该项目从2009年持续到2011年年底，目的是提高半导体制造业的生产效率，同时减少相关成本，缩短加工时间。欧洲“IMPROVE”联合研究项目的参与者包括软件企业、在欧洲拥有生产基地的半导体公司、芯片晶圆设备供应商和来自奥地利、法国、德国、爱尔兰、意大利和葡萄牙的学术机构。英飞凌科技股份公司作为
非挥发性内存大厂恒忆(Numonyx)总裁暨执行长Brian Harrison表示，基于财务风险考虑，近期之内，公司并不打算自己投入发展12吋晶圆厂，而会持续与尔必达(Elpida)、海力士(Hynix)等大厂进行策略联盟合作，后段组装、封测等部份则会将约40%的需求外包。 过去飞索(Spansion)因投入过多资源在发展12吋制程，因必须承担庞大的固定资本支出，在大环境景气急速反转下，财务情况出现严重问题，也成为公司一定要声请破产的重要的因素之一，近期公司对外也明显表态将淡出12吋制程。 反
SUSS MicroTec是半导体业界创新工艺和测试方案提供商。SUSS MicroTec向日本发运了一台LithoPack300光刻一体机，用于三维集成技术开发，并已成功安装。该一体机拥有涂胶、烘烤、曝光、显影模块，可用于最大直径为300毫米的晶圆片。对于难度较高的TSV硅通孔生产和三维集成的背面RDL再布线层，该一体机是一个超高的性价比的解决方案，再加上永久和临时晶圆片键合，SUSS MicroTec能够给大家提供一整套的工艺和技术方案，用于三维集成。SUSS MicroTec近期参与了一系列三维集成工艺的
继台积电成立新事业组织(NBDO)之后，联电24日董事会决议，成立新事业发展中心(NBDC)，更以新台币15亿元成立联电100%持股的「联电新投资事业公司」投入节能事业如太阳能、LED领域投资。由于额度与台积电日前公布的16.5亿元相当，加上两家组织名称、投资标的都极为相近，显示台积电、联电在节能投资领域的投资竞逐战已然展开。 联电表示，24日董事会通过成立新事业发展中心，将由资深副总陈文洋当责，此新事业中心也将成立由联电100%持股的转投资「联电新投资事业公司」，初期预定资本额约15亿元，新公
机遇与挑战： 2000~2008年间，我国半导体产业快速的提升，基础相对雄厚 国际金融危机的硝烟仍未消散，半导体行业仍在困境中挣扎 我国的半导体产业在国际上已经占有主体地位 中国半导体区域、竞争格局与国际趋势相吻合，发展的新趋势良好 我国半导体受经济危机的影响要低于国际半导体产业 市场数据： 中国在世界半导体发展中一直有主体地位，对世界半导体行业的增长率贡献超过70% 商业比重成分集成电路设计占18.9%芯片占31.5%封装测试业占仍然偏大，占49.6%
据新闻媒体报道，台积电日前召开董事会，决定投资11亿1680万美元，以扩充12英寸晶圆厂的45纳米制程产能，与设置32纳米制程产能;至于市场关注的太阳能投资，台积电并未宣布投资对象，但将先投入0.5亿美元在太阳能相关产业。 据台湾媒体报道，台积电发言人何丽梅表示，董事会决议通过人事变动，任命杜隆钦担任人力资源组织副总经理;调任张秉衡担任资材暨风险管理组织副总经理。 其次，资本支出部分，台积电董事会核准资本预算11.168亿美元，以扩充12英寸晶圆厂的45奈米制程产能与设置32奈米制程产能。同时
徐州中能硅业母公司─协鑫光伏，首席执行官江游指出，因太阳能电池需求加温，近来上游的多晶硅已有供给告急压力，加上国内开始限制海外晶圆的进口，而2010年招标的项目目前也已达到2GW(20亿瓦)，因此估计太阳能电池缺料的问题将会延续下去，而多晶硅的价格年底前也都能持稳。 太阳能电池产业在全球性金融危机爆发后需求下跌，直到今年第三季，进入产业旺季后，欧洲、美国需求转强，加上国内加码对太阳能电池产业的扶持，继推出太阳能屋顶补贴计划、规划在敦煌、内蒙和新疆等偏远地区盖太阳能发电厂后，更于7月公布关于实施金
Intel日本分公司在筑波市举行了一次技术会议，内容颇为丰富，涉及半导体技术现状与未来、Nehalem微架构、ATM主动管理技术、Anti-Thefe防盗技术、My WiFi无线技术等等。 其中有关半导体制造工艺的展望引起了我们的特别关注。近十几年来，Intel以每两年升级一次的速度从0.25微米(um)一路走到了45纳米(nm)，中间历经了0.18微米、0.13微米、90纳米、65nm等四个世代，并带来了多种技术革新，比如晶圆尺寸从200毫米到300毫米、内部互联材料从铝到铜、通道从硅到应变硅
晶圆双雄太阳能竞赛日益白热化，继台积电董事会通过设置5,000 万美元专款发展节能事业后，联电抢先一步规划进军大陆，旗下薄膜太阳能电池厂联相光电日前前往山东考察，评估在当地设厂事宜。 业界认为，在台积电尚未明确出手投资太阳能标的或兴建产能下，联电集团在太阳能领域企图心强烈，考虑大陆太阳能内需市场庞大，若能透过联相插旗大陆，将可享地利之便，趁机抢食大陆太阳能的商机，并拉大与台积电之间的距离。 联电在太阳能事业布局领先台积电，早在2005年11月便成立联相(原名晶能)，作为进军太阳能的试金石。
基于极其成功的Galaxy印刷设备，得可已利用卓越的精准技术开发了专门处理超薄晶圆的系统。新的Galaxy薄晶圆系统提供杰出的稳定性、工艺能力提高到Cp2@+/-12.5m、并有着先进的速度和加速控制，确保强健地处理当今易损的晶圆产品。 Galaxy薄晶圆系统的杰出工艺能力核心是专业设计的晶圆托盘，提供输送和加工75微米薄晶圆时正确固定晶圆所需的支撑和稳定能力。约400毫米见方的得可晶圆托盘，平整度小于10微米，且能容纳300毫米大的晶圆。仔细的选择和多孔材料的使用确保薄晶圆的安全